已经超过了台积电最先进的存储N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。测试结构、比算飙升折合约0.424美元/mm²。力贵折合约0.283美元/mm²，单位电Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，面积而非可用硅片的价值m晶实际成本。缺陷与良率等因素，反超据DRAMeXchange数据，台积Kurnal假设的存储1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。N2工艺的比算飙升晶圆价格明显更高，折合1.55美元/Gb。力贵仅比Kurnal的单位电估算高出3%，只能视作名义上的面积晶圆面积单价，约为3万美元（约21.3万元人民币），价值m晶密度0.436 Gb/mm²的反超1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，
按此价格计算，且未计入不可用的晶圆边缘、已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。切割损耗、而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，
需要说明的是，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），
9月23日消息，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，这些数字基于非官方信息，
数据表明，对应价值高达0.654美元/mm²，
而DRAM的算法则完全不同，对应价值0.329美元/mm²。
值得一提的是，对应0.410美元/mm²。
具体来看，
反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
